蔡司备妥高 NA EUV 光学

10 月 21 日消息，蔡司韩国新任法人长在首尔受访时称，已为三星、SK 海力士的晶圆扩产做好配套准备。

德国蔡司始于 1846 年，主营半导体、医疗及工业测量光学组件，在光刻环节地位无可替代：ASML 的 EUV 光刻机核心镜头，

由蔡司独家供应，没有蔡司镜头，EUV 光刻机便无法组装。

本次采访核心围绕高数值孔径 EUV（High-NA EUV）。EUV 光源波长仅 13.5nm，高 NA 方案将镜头数值孔径由 0.33 提升至 0.55，

聚光与分辨率同步升级，业内预计 2–3 年内实现量产。

蔡司布局早于同行，六年前便启动高 NA EUV 配套光掩模量测方案研发，当前 AIMS 掩模检测设备迭代至 AIMS EUV 3.0。

产能端同步加码，今年 7 月蔡司扩建德国奥伯科亨半导体工厂，新增 2.5 万㎡厂房，生产高 NA EUV 光学系统与量测设备。

蔡司认为，供应链建设必须前置，等需求爆发再布局为时已晚。在韩国，龙仁半导体创新中心已于 7 月投用，现有两台设备，年内还将持续增补。

客户可驻场协同调试工艺，深度参与设备迭代；至于在韩设立研发中心，蔡司表示暂未敲定，但具备较高可能性。